Сегодня пятница, 24.03.2023: публикаций: 3735
03.06.2022 09:51
Новости.
Просмотров всего: 4122; сегодня: 14.

В ЛЭТИ разработали модель для памяти нейроморфных компьютеров

Разработка позволит повысить эффективность проектирования устройств на основе мемристоров элементов энергонезависимой резистивной памяти для компьютеров будущего.

Сегодня широко распространенная и недорогая кремниевая вычислительная техника подходит к пределам своих возможностей по компактности, быстродействию и надежности. Поэтому научные группы по всему миру ведут поиски новых более эффективных материалов и принципов работы компьютеров.

Одним из перспективных направлений такого поиска является разработка мемристоров – наноразмерных электрических элементов, которые способны изменять значение своего сопротивления под действием напряжения и «запоминать» это состояние на длительное время. При этом для «хранения» заданного уровня сопротивления (резистивного состояния) таким устройствам не требуется потребление энергии, что позволит создавать миниатюрные и энергонезависимые элементы, выполняющие функции как обработки, так и хранения информации.

«Разработанная схемотехническая модель описывает функционирование и характеристики пленочных структур на основе материалов, перспективных для создания мемристоров, с учетом вариабельности их основных параметров с целью повышения точности результатов моделирования и эффективности проектирования устройств, использующих мемристоры в качестве элементной базы, прежде всего, нейроморфных вычислительных устройств, принципы функционирования которых подобны алгоритмам работы мозга», – рассказывает профессор кафедры микро- и наноэлектроники (МНЭ) СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Евгений Адальбертович Рындин.

Материалы и структуры мемристоров были синтезированы группой ученых под руководством доцента кафедры МНЭ СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Натальи Владимировны Андреевой. Данные соединения представляют собой нанослоевые композиции в виде последовательности слоев оксидов алюминия и титана, синтезированных методом атомно-слоевого осаждения. Они обеспечивают многоуровневую перестройку резистивного состояния в широком диапазоне величин для нового поколения памяти в нейроморфных архитектурах. 

В ходе экспериментов ученые измерили основные характеристики синтезированных структур и провели анализ протекающих в них физических процессов, что позволило разработать эквивалентную схему и соответствующую систему уравнений. Реализация и апробация предложенной модели была выполнена в среде Matlab. Сейчас ученые ведут работу по интеграции модели мемристоров в библиотеки Spice-моделей, широко используемые исследователями и разработчиками во всем мире. Результаты исследования опубликованы в научном журнале.

Проект выполнен при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации в рамках государственного задания в области научной деятельности FSEE-2020-0013.

Сферы деятельности: Нанотехнологии, Наука
Сайты субъектов РФ: Санкт-Петербург

Ньюсмейкер: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» — 42 публикации
Поделиться:

Интересно:

Выставка «Судьба командора. Камчатские экспедиции Витуса Беринга»
24.03.2023 13:58 Мероприятия
Выставка «Судьба командора. Камчатские экспедиции Витуса Беринга»
В краевом художественном музее Петропавловске-Камчатском проходит выставка «Судьба командора. Камчатские экспедиции Витуса Беринга». «Данная выставка в 2021 году открылась во Владивостоке и была посвящена 240-летию со дня рождения Витуса Беринга. Тот успех, который она имела, нас очень вдохновил —...
В Подмосковье обсудили подготовку к празднованию 225-летия А. Пушкина
24.03.2023 11:58 Мероприятия
В Подмосковье обсудили подготовку к празднованию 225-летия А. Пушкина
В Московской области прошло общее собрание пушкинских музеев России и выставочно-просветительское мероприятие, посвященное подготовке к празднованию 225-летия со дня рождения А.С. Пушкина. Пленарное заседание прошло под председательством статс-секретаря – заместителя Министра культуры...
Депутаты Мосгордумы приняли участие в конференции «История Москвы»
24.03.2023 10:11 Новости
Депутаты Мосгордумы приняли участие в конференции «История Москвы»
Депутаты Мосгордумы приняли участие в Третьей ежегодной научно-практической конференции «История Москвы: методология, источниковедение, историография, популяризация». Прошедшая в Музее Москвы научно-практическая конференция была посвящена 150-летию со дня рождения А.В. Щусева. Ее участники...
В Госдуме предложили открыть для россиян доступ к родословным
24.03.2023 08:11 Новости
В Госдуме предложили открыть для россиян доступ к родословным
Открыть свободный доступ к оцифрованным архивам, помогающим, например, проследить историю семьи, предложили в Госдуме. Список электронных документов, с которыми можно ознакомиться бесплатно, содержится в поправках к законопроекту «Об архивном деле». Они направлены на рассмотрение в Комитет Госдумы...
Прошло мероприятие, посвящённое роли Севастополя в истории России
23.03.2023 15:51 Новости
Прошло мероприятие, посвящённое роли Севастополя в истории России
23 марта 2023 года в Доме Российского исторического общества состоялся круглый стол, посвящённый роли Севастополя в истории России. Дискуссия была приурочена к годовщине воссоединения Севастополя и Крыма с Россией. Участники заседания обсудили основные вехи истории города русской славы, реализацию...